不揮発性パワーゲーティングがCMOSロジックシステムの待機時電力削減に威力

不揮発性パワーゲーティングがCMOSロジックシステムの待機時電力削減に威力
―不揮発性SRAMを用いた記憶回路で実証―

要点

• 不揮発性パワーゲーティング（NVPG）とノーマリオフ（NOF）のエネルギー性能を定量評価。
• 不揮発性メモリ素子である強磁性トンネル接合（MTJ）をSRAMに付加した不揮発性SRAMから構成される記憶回路で評価。
• 不揮発性パワーゲーティングによって高効率の待機時電力の削減が可能。

概要

東京工業大学像情報工学研究所の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教、山本修一郎特任助教らの研究グループは、公益財団法人神奈川科学技術アカデミー（KAST；カスト）と共同で、不揮発記憶を用いたCMOSロジックの待機時電力削減アーキテクチャとして期待されている不揮発性パワーゲーティング（NVPG^[用語1]）とノーマリオフ（NOF^[用語2]）について、そのエネルギー性能の解析を行い、NVPGの有効性を明らかにした。マイクロプロセッサやシステム・オン・チップ（SoC）に搭載される上位階層の記憶回路を想定し、不揮発性メモリ素子である強磁性トンネル接合（MTJ^[用語3]）とCMOSとの融合回路から構成される不揮発性SRAMについて高精度シミュレーションによるベンチマークを行った。その結果、待機時電力の削減効率は、不揮発記憶に要する過剰なエネルギーと動作上待機状態にならざるを得ないセル部分における待機時エネルギーとの拮抗によって決まるが、記憶回路へのアクセス回数が多いマイクロプロセッサやSoCへの応用の場合ではNVPGの方が圧倒的に有利になることを明らかにした。

研究成果は3月10日からフランス・グルノーブルで開催されたヨーロッパで最大級の集積回路に関する国際会議DATEで3月11日に発表された。

背景と研究の経緯

パーソナルコンピュータやサーバに搭載されているマイクロプロセッサや、スマートフォンなどの携帯機器に搭載されているシステム・オン・チップ（SoC）などのCMOSロジックシステムでは、トランジスタの微細化と高密度集積化によって高性能化を実現してきた。この一方で、トランジスタのリーク（漏れ）電流によってシステムの待機（スタンバイ）時に消費するスタンバイ電力が著しく増大し、重大な問題となっている。

このような待機時電力はロジックシステムにおける待機状態の回路ブロックへの電源供給を遮断することで削減できる（これがパワーゲーティングと呼ばれる技術である）。しかし、従来のCMOSロジックシステムでは電源遮断によってシステム内に存在する重要なデータ（情報）が失われるといった問題があるために、この方法を用いる場合には制約が大きく、効果はあるもののその本来の能力を十分に発揮できていない状況にあった。近年、不揮発記憶を利用して、ロジックシステムの電源遮断を効果的に行い高効率に待機時電力を削減する方法がいくつか提案されている。

その一つが菅原聡准教授らの研究グループが提案した不揮発性パワーゲーティング（NVPG）である。通常、CMOSロジック内で用いられる高速動作可能な記憶回路（SRAMやフリップフロップなどと呼ばれる双安定記憶回路）は電源遮断によって記憶内容を失ってしまうが、このような双安定記憶回路に不揮発性メモリ素子を付加することで、電源遮断を行ってもデータを保持できるようにできる。同研究グループの提案した不揮発性双安定回路^[用語4]では、CMOSロジックが通常の動作を行っているときには、不揮発記憶は用いずに通常の双安定記憶回路として動作し、電源遮断を行うときにだけ不揮発記憶を行うところに特徴がある。これによって、通常動作には影響を与えず、高効率にエネルギーを削減できるNVPGが実行できる。

これとは別の待機時電力削減アーキテクチャとしてノーマリオフ（NOF）がある。これはデータの記憶に常に不揮発記憶を用いる。このため、通常は電源遮断しておき、必要なときにのみ記憶回路に通電して、可能な限り待機時電力を削減する。しかし、通常、不揮発記憶には従来のCMOS構成の記憶回路に比べて大きなエネルギーを要し、また、動作速度も遅いといった問題がある。したがって、情報処理量が小さく、待機時間が非常に長いマイクロコントローラなどに用いる場合にはメリットがあるが、マイクロプロセッサやSoCのように情報処理量が多く演算時間の長い応用には適していないと考えられる。しかし、現状では、これらのアーキテクチャの理解不足による誤った見解も多い。

この原因の一つは、それぞれのアーキテクチャがそれぞれ異なった不揮発性記憶回路を用いて提案されており、システマティックな比較・検討が行われていなかったことが大きい。また、不揮発性記憶回路の導入による効果を従来の揮発性の記憶回路の場合と比較してそのメリットを判断することも重要になるが、このような検証もほとんど行われていない（これには後に述べるBreak-even timeと呼ばれる指標を用いることが重要となる）。

同研究グループの提案している不揮発性双安定記憶回路は、どちらのアーキテクチャにも用いることが可能なことから、これを用いて高精度シミュレーションから二つのアーキテクチャに関する性能を従来の双安定記憶回路と比較し、定量的評価を行った。

研究成果

本研究グループが提案している不揮発性SRAM（NV-SRAM）を用いてNVPGおよびNOFのアーキテクチャを検討した。マイクロプロセッサやSoCにおける上位階層のキャッシュメモリを想定して、それぞれのアーキテクチャの特性を解析した。

図1に解析に用いたNV-SRAMセルの構造を示す。通常のSRAMセルにトランジスタを介して、不揮発性メモリ素子である強磁性トンネル接合（MTJ）を接続しているところに特徴がある。このトランジスタによって、通常動作時（不揮発記憶を用いない双安定回路のみの読み出し/書き込み動作時）にはMTJをSRAMから電気的に切り離すことが可能となる。また、NV-SRAMに接続されたパワースイッチでセルへの電源遮断を行う。このNV-SRAMセルを用いて、メモリアレイ（Mビット×Nライン）および周辺回路を構成してシミュレーションを行った。

図2に評価に用いたNVPGおよびNOFのベンチマークのシーケンスを示す。NVPGでは電源遮断を行うときにだけ、MTJへの書き込みを行い、短い時間の待機時はスリープモードとした（双安定回路のデータが消えない程度に供給電圧を絞る動作。パワーゲーティングほどではないが待機時電力の削減に効果がある）。NOFでは、データの書き込みには常にMTJへの書き込みを行い、待機時および毎回の読み出し後と書き込み後電源遮断を行っている、比較のための通常のSRAMでは、待機時はすべてスリープモードを用いた（現在、SRAMにスリープモードを導入することは常套手段となっている。SRAMとの性能比較を行う場合、SRAMにはスリープモードによる待機時電力の削減の効果を含めておくことが重要である。スリープモードのないSRAMとの比較は実用上の意味を持たない）。

NVPGではセルアレイの全ビットを読み出し/書き込み後、時間t_SLのスリープモードを実行する。これをn_RW回繰り返し、MTJに書き込み（ストア）してから時間t_SDシャットダウンし、復帰（リストア）する。通常_{のSRAM（OSR）では、待機時はすべてスリープモード、NOFでは待機時および読み/書き後はすべでシャットダウンしている。}

以上の回路構成とアーキテクチャを用いて、高精度の回路シミュレーションを行った。CMOSデバイスについては最先端のCMOSデバイスであるFinFET（立体的なチャネルを持つ高性能の電界効果型トランジスタ）のPredictive Technology Modelを、MTJについては同研究グループの開発した高精度マクロモデルを用いた。

図3に動作波形を示す。NVPGでは、通常の（双安定回路部のみの）SRAM動作と、MTJへ書き込みを行う不揮発記憶の動作を分離できる。したがって、NVPGにおける通常の読み出しと書き込みはSRAMと同じ速度で実行できる。一方、NOFでは、通常動作と不揮発記憶動作を分離せず常に不揮発記憶を用いる。このため、不揮発記憶の必要のない通常の書き込みにも不揮発記憶を実行しなければならず、動作速度が大きく劣化する。さらに、毎回の読み出し時にも復帰動作と電源遮断を行うため、動作速度が低下する。また、この余計な動作に要する電力も余分に消費している。NOFではこのような動作速度の劣化があっても頻繁に電源遮断を行うことによって、エネルギー的にメリットが生じると考えられているが、以下に示すようにこれは正しくない。

左図は図2のシーケンスにしたがって動作させた場合の波形。右図はその拡大図である。NVPGでは通常のSRAMと同じ速度で読み出しと書き込みが実現できる。NOFでは読み出しや書き込みの度に復帰およびシャットダウン動作するため、動作速度が劣化するだけでなく、リストアやストアに伴う余計なエネルギー消費を生じる。

図4にn_CYC=1における消費エネルギーE_cycの読み出し/書き込み動作サイクル数n_RW依存性を示す（n_CYC、n_RWは図2参照）。ここでは、セルのシャットダウン時間t_SD（図2参照）を零としている。この条件は、不揮発記憶動作（ストア動作）と電源遮断からの復帰動作（リストア動作）の影響を評価するのに効果的である。NVPGではE_cycはn_RWの増加とともに通常のSRAMのエネルギーに漸近することがわかる。すなわち、ストア、リストアの影響はn_RWの増加とともに消失する。これは同研究グループの提案しているNVPGの特徴の一つである。

ここではストアとリストアの効果を明らかにするためにt_SD=0とした。NVPGのE_cycはn_RWの増加とともに通常のSRAMの場合に漸近するが（ストアとリストアによる過剰なエネルギーの効果はn_RWの増加とともに薄れる）、NOFではこのような効果はない。

一方、NOFセルでは、このような依存性は見られず、しかも、消費エネルギー自体が通常のSRAMに比べて大きい。この特徴はシステムが電源遮断時に不揮発記憶を必要とする容量（プロセッサコアでは数K～10Kバイト程度）を変化させても変わらない。情報処理量が多く、メモリアクセスも極めて多い上位階層のキャッシュでは、NVPGのこの特徴は特に重要になる。まとまった演算処理の終了後に電源遮断を行うNVPGはマイクロプロセッサのコアやSoCのパワーゲーティングに有効であることがわかる。

図5に、Break-even time （BET^[用語5]）のn_RW依存性を示す。BETは電源遮断によってエネルギーを削減できる最低の電源遮断時間である。NOFでは、n_RWの増加にともない、BETが大きく増大している。これは、不揮発記憶と電源遮断を繰り返すことで、エネルギー削減の効果が小さくなることを示している（n_RWの増加にともない、エネルギー削減のために、より多くの電源遮断時間が必要になる）。一方、NVPGでもBETはn_RWに依存するが、その依存性は小さく、特にn_RWの増加に伴うBETの増大は、NOFに比べてはるかに小さい。したがって、NVPGでは電源遮断によってより効果的にエネルギーを削減できる。さらに、NVPGでは我々の提案しているストアフリーシャットダウン（既書き込みのデータと同じデータは書き込まない不揮発記憶のアーキテクチャ）の導入によってBETはさらに大きく削減できる。したがって、細粒度のNVPGが可能となる。

NOFではn_RWの増加とともにBETは大きく増加する（最低限必要なシャットダウンの時間が延びる）。一方、NVPGでは、n_RWの増加にとともなうBETの増大は緩やかである。NVPGは情報処理量の多いマイクロプロセッサのコアやSoCのスタンバイ電力の削減に有効である。

NOFにおいて、十分なエネルギーの削減効果を実現するためには、不揮発記憶に必要となる書き込みのエネルギーをSRAMより小さくすることが重要となる。今回の解析では不揮発性メモリ素子として用いたMTJは他の不揮発性メモリ素子に比べて、比較的に低エネルギーで書き込みが可能な素子であるが、SRAM以下に低減するのは容易ではない。MTJでは書き込み電流を小さくすると、スイッチングのエラーレートは増大する。また、マイクロプロセッサやSoCでは動作時のチップ温度はかなり高くなるが、エラーレートはチップ温度の上昇によっても増大する。さらに、トランジスタのバラツキ程度（小さくない）またはそれ以上にMTJの特性バラツキもあることを考えるとMTJの書き込みエネルギーをこのように小さく下げることは相当に困難であると考えられる。このことと、図4と図5に述べた特性を考慮すれば、マイクロプロセッサやSoCへの応用ではNVPGの方が圧倒的に有利であることがわかる。

今後の展開

現在のマイクロプロセッサやSoCの高性能化ではマルチコア化が必須の技術になっているが、今後はさらに大規模なマルチコア化（メニーコア化）が重要になってくる。この一方でダークシリコンと呼ばれる各コアの消費エネルギーのため同時に動作できるコアの数に制限が加わるという問題も発生する。このような問題では各コアの低消費電力化がより重要となるが、NVPGはこのようなメニーコアのプロセッサやSoCに極めて有効な待機時電力削減アーキテクチャとなる。一部に、コアでは従来のCMOS技術のみによるパワーゲーティングのみで十分であるという意見があるがこれは正しくない。従来技術のみではダークシリコンの問題は解決できない。従来のCMOS技術以上に細粒度で電源遮断することが可能となるNVPGが重要となる。