東京工業大学 理学院 物理学系の西早辰一助教が、公益財団法人 井上科学振興財団の第39回井上研究奨励賞を受賞しました。同財団が12月15日付で発表し、2月3日にオンラインで贈呈式が執り行われました。
井上研究奨励賞は、理学、医学、薬学、工学、農学等の分野で過去3年間に博士の学位を取得した37歳未満（申込締切日時点）の研究者で、優れた博士論文を提出した研究者に対して授与されるもので、受賞者には賞状、メダルおよび副賞が贈呈されます。
今回は、関係369大学に候補者の推薦が依頼されたうち35大学から123件の推薦があり、選考委員会における選考を経て40件が採択されました。井上科学振興財団は、近代科学・技術の基礎を培う自然科学の基礎的研究を助成、振興する団体です。故井上節子さんの浄財を基金として1984年設立されました。
西早辰一助教のコメント
西早辰一助教
本博士論文では、より高性能で省エネルギーな特性を示す電子材料候補として注目を集めるトポロジカル半金属について、その代表物質であるCd3As2の高品質薄膜試料の作製に成功し、従来２次元系でのみ実現するエネルギー非散逸な量子化伝導を３次元方向に拡張する特殊な表面伝導現象がトポロジカル半金属において実現することを実験的に実証しました。
この度は、私の大学院での研究活動の集大成とも言える本博士論文が、井上研究奨励賞という名誉ある賞を頂き、大変光栄に思っております。本研究に関して、日頃よりご指導とご助言を賜りました東京大学工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター 川﨑雅司教授、本学理学院物理学系 打田正輝准教授、および研究グループのメンバー、共同研究者の皆様に厚く御礼を申し上げます。
今回頂いた賞を励みに、既存技術の限界を打破しうる革新的な電子材料の研究に、より一層邁進していく所存です。
