細野秀雄教授が知的財産特別貢献賞（第2回）を受賞

細野秀雄教授がJSTの第2回知的財産特別貢献賞を授賞しました。

本賞は、大学や公的研究機関などの、真に独創的な研究成果に基づく知的財産の創造と活用を通して、日本の科学技術の発展に寄与し経済社会上大きな成果をあげた特に優れた研究者に対し、その業績を称え表彰するものとして、JSTが平成23年度に創設したもので、第1回は青色発光ダイオードの開発に寄与した赤崎名誉教授が授賞しています。

2月25日に、表彰式が行われました。表彰式には細野教授をはじめ、本学からは岡田清理事・副学長（企画担当）や細野研究室の関係者も出席し、細野教授の栄誉を称えました。

JST中村道治理事長から賞状とメダルが授与される

賞状とメダルと細野教授

細野秀雄教授のコメント

1995年の第16回アモルファス半導体国際会議で初めて発表した移動度の大きなアモルファス酸化物半導体（TAOS）の設計指針を基に、1999年から開始したJST ERATO「透明電子活性プロジェクト」のなかでそのTFT応用の研究を行い、その成果を論文（Sciece誌とNature誌）と知財化しました。論文と特許が既に5,000回以上も引用されることになっただけでなく、実用化にも繋がり、良かったと思います。移動度の大きいIGZOなどの酸化物TFTは、有機ELの駆動を想定して研究を始めたもので、やっとここにも使われだしたようです。

野村研二博士（現Qualcomm）、神谷利夫博士（東工大）、平野正浩博士（元JST）、太田裕道博士（現北大）、折田政寛博士（元ホーヤ）など共同研究者の方々に厚く感謝いたします。また、故清水勇教授（当時、東工大TLO理事長）の紹介で、有益な共同研究を実施できたキヤノンの関係者の方々にも御礼を申し上げます。

引き続き、ジャンプを伴う研究成果の創出に精進したいと思います。