大学院理工学研究科電子物理工学専攻の宮本恭幸教授が第17回電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞を受賞しました。
この賞は、エレクトロニクスに関する新しい発明、理論、実験、手法などの研究で、その成果の学問分野への貢献が明確であるもの、エレクトロニクスに関する新しい機器、デバイスまたは方式の開発、製造でその効果が顕著であり、数年以内に産業的業績の明確になったものに該当する業績を対象にして授与されます。
受賞理由: 低消費電力と高速動作を両立させるInP系電子デバイス構造に関する先駆的研究
近年Siに代わるMOSFET用材料として期待されているInGaAsを用いたMOSFETにおいてドレイン電圧0.5Vにおいてドレイン電流2.4A/mm、1Vにおいて3A/mmという従来の世界記録を2倍以上上回る高い電流密度を実現したことなどを評価されたものです。
MOSFET断面図
宮本恭幸教授
今回の受賞を受けて、宮本教授は次のようにコメントしています。
「大変重要な賞をいただき、光栄に感じると同時に、今回選考に携わって頂いた関係各位、いままで研究を支えていただいて来た多くの先生方、諸先輩、学生諸氏など関係者の皆様に心からお礼を申し上げたいと思います。 今回の受賞理由は、InP系化合物半導体電子デバイスについての業績を広く評価いただいたものでありますが、同時にSiに代わるMOSFET用材料として期待されているInGaAsで高い電流密度を出したことも大きな理由となっていると感じております。InGaAs MOSFETは実用化までもう少しのところでもあり、これからの 産業化においても、さらに貢献していければと思っております。」
エレクトロニクスソサイエティ中野義昭会長（左）と宮本恭幸教授（右）